ESD測試中接地不良引起的通訊故障死機問題分析
1. 引言
獨學而無友,則孤陋而寡聞;
2. 背景介紹
某控制器產(chǎn)品在做認證測試中,ESD ±6KV接觸放電出現(xiàn)通訊故障死機問題,需要重啟后可恢復,針對此問題進行分析和整改。
3. 分析與整改
3.1 控制器組網(wǎng)與實驗點
控制器組網(wǎng)與ESD放電點示意圖參見圖1所示。
(a)組網(wǎng)與放電點示意圖
(b)放電點實物圖
圖1 控制器組網(wǎng)及實驗點
3.2 試驗現(xiàn)象
ESD接觸放電±6KV,對放電點1和放電點2進行試驗時(每個點放電3-6次左右),及放電點3(每個點放電10-20次左右)就會出現(xiàn)通訊故障,無法與上位機通訊,處于死機狀態(tài),需要重動恢復。放電點4試驗無問題。
3.3 接地可靠性排查
3.3.1 接地點阻抗測定
利用萬用表對蓋板接地點阻抗測定,結果如下:
表1 接地阻抗
蓋板接地點 | 接地阻抗 | 備注 |
接地點1 | 0.2-0.3Ω | 接地阻抗較大,接地效果不好 |
接地點2 | 0.2-0.3Ω | |
接地點3 | 0.1-0.2Ω | 接地阻抗大,接地效果不佳 |
接地點4 | 0-0.1Ω | 一般可接受 |
注:ESD頻譜達到GHz頻段,利用萬用表進行機殼接地阻抗值是不準確的,但可以做為初步的定性分析判斷。
3.3.2 機殼接地點變更排查
對控制器的接地點位置進行人為變更,對各放電點進行ESD實驗,驗證各接地的可靠性,詳細結果參見表2。
表2 機殼接地點變更實驗結果
蓋板放電點 | 實驗結果 | |
初始實驗接地配置 | 放電點1 | Fail |
放電點2 | Fail | |
放電點3 | Fail | |
放電點4 | Pass | |
接地點變更:靠近接地點2 | 放電點1 | Fail |
放電點2 | Pass | |
放電點3 | Pass | |
放電點4 | Pass | |
接地點變更:靠近接地點1 | 放電點1 | Pass |
放電點2 | Fail | |
放電點3 | Fail | |
放電點4 | Pass |
3.3.3 接地可靠性排查小結
(1) 接地點位置變更后到2后,放電點2/3/4實驗沒有問題,但放電點1仍然會導致通訊故障死機;接地點位置變更后到1后,放電點1/4實驗沒有問題,但放電點2/3仍然會導致通訊故障死機。
(2) 蓋板與機殼地搭接不良,接地點1/2/3接地阻抗較大,接地點4的阻抗可接受;
(3) 整體的控制器蓋板與機殼的搭接設計不可靠,導致ESD測試中會出現(xiàn)問題。
3.4 接地不良導致通訊故障死機問題分析
3.4.1 ESD耦合機理分析
3.4.1.1 ESD波形參數(shù)
IEC61000-4-2標準中ESD放電電流波形參數(shù)如圖2所示[1],6KV的放電電流峰值為22.5(1±15%)A。
圖2接觸放電電流波形參數(shù)
3.4.1.2 ESD頻譜特性
6KV等級ESD的放電電流與頻譜特性參見圖3和圖4所示[2]。ESD的幅值一般在頻率0~1.2 GHz 間,超過1.2 GHz 幅值基本衰減為0,整個頻率期間出現(xiàn)了2 次峰值.頻率在0~30 MHz 間,幅值逐漸衰減,并且衰減較快.然后隨頻率增加至60 MHz 時,幅值達到第二個峰值,隨著頻率繼續(xù)增加,幅值逐漸衰減至0。
圖3 6KV放電電流波形
圖4 6KV接觸放電電流頻譜
3.4.1.3 ESD放電耦合機理分析
(1) ESD的干擾模式
ESD以共模干擾方式對控制器進行干擾,主要有以下幾種形式:
◆ ESD放電中形成的場耦合,一般發(fā)生在接地點良好,但接地位置附近有敏感信號或走線的情況:
◆ ESD放電電流在接地阻抗路徑中形成噪聲電壓Vnoise干擾敏感設備,一般發(fā)生在接地不良,接地阻抗較大的情況;
◆ ESD放電電流直接注入敏感信號中,一般發(fā)生在對pin進行ESD注入實驗的情況。
(2)結構地分析:
控制器蓋板接地的結構層次:蓋板緊固彈簧螺釘→金屬螺柱→金屬條→接地固定螺釘→機殼地。PCB過孔無接地銅盤,與金屬條和機殼均無搭接。金屬條與機殼的搭接僅僅通過螺紋進行,搭接不可靠,阻抗大,結構接地詳見圖5所示。
(a)蓋板接地點實物圖
(b)蓋板接地結構示意圖
圖5 蓋板接地結構
(3)干擾路徑與等效機理電路分析
◆ 當蓋板與機殼地間的接地良好時,阻抗足夠低,與機殼形成等電位搭接,無壓差。
ESD的主要放電路徑為圖6中的①和②,因①的接地物理路徑較近,大部分干擾會從①路徑中流到大地。流過路徑①附近的電流形成的干擾場,會串擾周圍的敏感信號或敏感走線。
圖6 ESD放電路徑示意圖
◆ 當蓋板與機殼地間的接地搭接較差時(搭接阻抗較大),ESD放電電流會在搭接點處形成噪聲電壓Vnoise。
噪聲電壓通過蓋板與PCB板件的分布電容,形成干擾電流流過PCB,使得敏感干信號受干擾,參見圖7所示。
圖7 接地不良的ESD耦合機理示意圖
(4)干擾噪聲估算
通過接地阻抗測定與接地點變更ESD實驗結果,結合ESD的干擾機理,可以確定控制器為ESD放電電流在接地阻抗路徑中形成噪聲電壓Vnoise ,干擾了內部敏感信號。
◆ PCB與結構件間的分布電容估算
PCB板與蓋板間的分布電容可用以下公式進行估算[3]:
控制器的PCB尺寸為15cm*40cm,與蓋板距離3cm,與機殼距離2cm左右。PCB接地參考地層與蓋板間的分布電容約為33pf。
◆ 蓋板與機殼間搭接處的噪聲電壓估算
6KV接觸放電的放電電流峰值實測約為24A左右,接觸阻抗為0.3歐姆,電壓約為7.2V。
注:蓋板與機殼間的搭接阻抗為萬用表測試結果,實際的ESD頻段的搭接阻抗值要大于0.3Ω,本文暫以0.3Ω為例進行計算說明。
◆ 流過背板的電流:
I1=C*2πf*U=33pF*2*3.14*1.2GHz*7.2=0.25A。
注:為方便計算,ESD頻段擴展到1.2GHz。
◆ 流經(jīng)背板PCB參考地平面的噪聲電壓:
Vnoise=I1*Z=0.25A*3mΩ=0.75mV;
注:PCB的鋪地平面阻抗一般為mΩ級別,結合背板的過孔數(shù)量,估算PCB鋪地平面阻抗為3mΩ。
◆ 流經(jīng)背板PCB表層走線的噪聲電壓:
I2= C*2πf*U=3pF*2*3.14*1.2GHz*7.2=0.025A(流過通訊指示燈走線的電流)
Vnoise=L*di/dt=300nH*0.025A/(0.8ns)=9.4V。
注:背板表層通訊指示燈為最長走線,長度為20cm左右,走線寬度為10mil,電感量為300nH左右。指示燈走線與蓋板間的分布電容約為3pf。
3.4.2 通訊故障死機問題原因排查
(1)通訊故障死機原因有二:通訊板受干擾或者CPU板受干擾。
進過排查,定位到是因為通訊指示燈走線過長(隔斷走線后無問題),導致ESD干擾耦合到背板通訊指示燈走線,噪聲電平達到9.4V的高頻干擾進入CPU板。9.4V的噪聲電壓足以干擾CPU板的敏感信號(1.2V、3.3V、5V等級的敏感信號),可以通過濾波電容、磁珠、TVS管等方法進行抑制。
圖8 通訊指示表層燈走線示意圖
(2)CPU導致死機原因有二:3.3V電源受干擾或時鐘受干擾。
通過前述分析,地平面上的噪聲電壓為0.75mV,不足以干擾3.3V電源。經(jīng)過排查確認ENC28J60的時鐘受干擾,導致出現(xiàn)通訊故障而死機。
3.5 整改與驗證
因客戶要求不能整改PCB內部電路及外觀可見措施,只能從結構接地下手。
◆結構地搭接整改:
針對蓋板與機殼間的四個接地點通過銅箔加強接地,整改措施如下。
整改前 | 整改后 |
◆實驗驗證:實驗采用±7KV等級無問題。
3.6 落地設計
最終落地設計為背板的表面和底面四周進行鋪銅處理,加強蓋板與結構地的搭接。實驗驗證無問題,落地措施參見下圖。
圖9 背板與機殼間的搭接處理
4. 思考與啟示
(1)ESD干擾以共模形式串入PCB線路或通過空間場耦合干擾敏感信號,需要解耦分析;
(2)對于接地點可靠性的排查,可通過人為改變接地位置進行故障問題的分析;
(3)ESD抑制的一大手法是接地,要確保放電點與機殼地搭接的可靠性,保證搭接阻抗在ESD頻段范圍內足夠小,不足以形成干擾電壓;
(4)PCB敏感信號或與敏感信號相關的信號線,避免在表層長距離走線而引起的干擾,無法避免時,注意信號換板連接器附近的濾波處理。
(5)ESD敏感信號在設計前期需要進行ESD干擾評估,特別是噪聲等級的評估,有利于抑制器件的選型,同時在PCB板進行干擾風險規(guī)避是成本最低,效果最好的方法。
(6)ESD的抑制手段多樣化,除了接地對ESD干擾進行泄放外,還可通過濾波、屏蔽、瞬態(tài)抑制、隔離、放電敏感距離控制、采用絕緣類材料阻斷放電等等手段進行抑制,結合設計需求落地。
5. 參考資料
[1]. IEC61000-4-2. 2008.Electromagnetic compatibility (EMC) –Part 4-2: Testing and measurement techniques– Electrostatic discharge immunity test [S].
[2].陽長瓊.不同電壓等級靜電放電頻譜分析[J].蘭州交通大學學報. 2018(5):18-22+28.
[3].鄭軍奇. EMC設計分析方法與風險評估技術[M].北京:電子工業(yè)出版社,2020: 84-85.